砷化镓电池
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GalnP₂/InGaAs/Ge结构,性能稳定; 在500到1000倍太阳光下可稳定工作;
结构:InGaP/lnGaAs/Ge, 光圈面积:98.01mm², 开路电压2.5V
材料:GaInP2/GaAs/Ge on Ge substrate, AR-coating : TiOX/Al2O3,
标准设计电压为4.5V,工作电流为12.5mA
标准设计电压为4.5V,工作电流为14.8mA
每平方米输出功率:250W, 功率重量比:1W/g, 工作温度范围为 -80°C 至 100°C
单结砷化镓电池,工作电流24.6mA, 工作电压0.89V, 功率21.9mw
双结砷化镓单色光(激光)发电电池, 厚度:30μm, 特征波长:808nm
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聚光类电池效率40%,其他类型电池效率30%
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