砷化镓电池,砷化镓太阳能电池

砷化镓电池

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10mm x 10mm

GalnP₂/InGaAs/Ge结构，性能稳定; 在500到1000倍太阳光下可稳定工作;

效率40%

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5mm x 5mm

GalnP₂/InGaAs/Ge结构，性能稳定; 在500到1000倍太阳光下可稳定工作;

效率40%

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10mm x 10mm

结构：InGaP/lnGaAs/Ge, 光圈面积：98.01mm², 开路电压2.5V

效率30%

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4cm x 8cm

材料：GaInP2/GaAs/Ge on Ge substrate, AR-coating ： TiOX/Al2O3,

效率30%

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4cm x 6cm

材料：GaInP2/GaAs/Ge on Ge substrate, AR-coating ： TiOX/Al2O3,

效率30%

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4cm x 3cm

材料：GaInP2/GaAs/Ge on Ge substrate, AR-coating ： TiOX/Al2O3,

效率30%

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11mm x 21mm

标准设计电压为4.5V，工作电流为12.5mA

效率30%

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17mm x 17mm

标准设计电压为4.5V，工作电流为14.8mA

效率30%

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20mm x 50mm

每平方米输出功率：250W, 功率重量比：1W/g

效率30%

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10mm x 10mm

单结砷化镓电池，工作电流24.6mA, 工作电压0.89V, 功率21.9mw

效率22%

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11.5mm x 11.2mm

双结砷化镓单色光（激光）发电电池, 厚度：30μm, 特征波长：808nm

效率38%

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